【Kaiyun·開云，新聞】據(jù)外媒ZDNet消息，三星電子日前表示，該公司已成功將3D封裝技術(shù)應(yīng)用于7nm極紫外光刻（EUV）測試芯片上。該技術(shù)可使開發(fā)人員通過在邏輯層頂部堆疊SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）來設(shè)計更小巧、功能更強大的芯片。

　　三星的這種3D封裝技術(shù)被稱為X-Cube（擴展立方體），該技術(shù)與傳統(tǒng)方法不同，它可將SRAM堆疊在芯片邏輯層的頂部，而在傳統(tǒng)方法中，用于高速緩存的SRAM只能被放置在同一平面上靠近CPU和GPU等邏輯芯片的位置。

三星3D封裝技術(shù)（圖源三星）

　　三星還將采用其TSV（硅通孔）技術(shù)，其中存儲層和邏輯層的導線通過微小的孔連接，而不是通過控制器周圍的導線連接，這可以提高運行速度、降低功耗并能以緊湊的方式封裝芯片。

　　三星補充說，這些技術(shù)提供的超薄封裝設(shè)計還使芯片之間的信號路徑更短，從而最大程度地提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和能源效率。該公司將為客戶提供X-Cube的設(shè)計方法和流程，以便他們可以開始設(shè)計由EUV工藝制造的7nm和5nm芯片。